Pozvano predavanje dr. Maksyma Myronova na savjetovanju MEET - Mikroelektronika, elektronika i elektronička tehnologija

Dr. Maksym Myronov će na 42. skupu MIPRO 2019 u okviru savjetovanja MEET - Mikroelektronika, elektronika i elektronička tehnologija održati pozvano predavanje pod nazivom “Prevladavanje ograničenja heteroepitaksije silicij-karbida na silicijskim pločama”.

Profesor Myronov će održati pozvano predavanje o novoj tehnologiji niskotemperaturnog epitaksijalnog rasta koja je dovela do izuma vrhunske tehnologije za rast silicij-karbida politipa 3C (3C-SiC) na standardnim silicijskim pločama. Prednosti nove tehnologije u odnosu na uobičajene postupke visokotemperaturnog epitaksijalnog rasta 3C-SiC materijala su smanjeni troškovi održavanja reaktora, veći obujam proizvodnje te mogućnost integracije s drugim materijalima iz grupe IV i III-V poluvodiča koji se mogu narasti na silicijskim i silicij-na-izolatoru pločama. Rast silicij-karbida (SiC) na silicijskim podlagama različitih kristalografskih orijentacija, korištenjem u poluvodičkoj industriji raširenih CVD reaktora s grijanom podlogom, otvara mogućnost za jeftinu i masovnu proizvodnju 3C-SiC/Si ploča promjera do 300 mm. Proizvedene su visokokvalitetne 3C-SiC/Si epitaksijalne ploče koje su ravne, imaju glatku površinu i nisku koncentraciju nečistoća što otvara mogućnosti za primjenu ovog materijala u proizvodnji dugoočekivanih jeftinih elemenata za elektroniku visoke snage kao i RF, fotoničkih i senzorskih elemenata.

Dr. Maksym Myronov je voditelj Nano-Silicon Group i izvanredni profesor na Zavodu za fiziku, Sveučilišta u Warwicku, Ujedinjeno kraljevstvo. Ekspert je u području epitaksijalnog rasta, karakterizacije materijala i tehnologije proizvodnje elektroničkih elemenata iz grupe IV i III-V poluvodiča.